半导体发光器件包括半导体LED发光二极管，数字控制、符号、管、杰克管、点阵显示屏（简称矩阵管）。事实上，数字控制、符号、管、杰克管道和管矩阵单元中的每个光源是发光二极管。

第一、原理、特点及应用的半导体光发光二极管工作

（A）原则的LED灯

发光二极管组成的三-ⅳ型-ⅵ化合物如GaAs（砷化镓）差距（镓磷化物），gaasp问世（p砷化镓）半导体组成，其核心是PN结。因此它具有一般-N p-n结，进行反向，击穿特性。此外，在一定条件下还具有光学性质。根据正向电压，由n p电子喷射孔注射用其他区域的少数载流子（小）部分多数载体（多）光的p;访问是复合材料，如图1所示。

假定光是p，然后直接注入的电子和空穴带轻的复合材料，或被俘的发光中心第一次，然后孔重组。除了这种化合物，和一些电子被非发光中心（近中心之间传导带和中间）捕获和孔也加剧了，每次释放的能量小，不能形成可见光。相对于较大发光的内容比非发光复合，光学的量子效率较高。因为这种化合物是在该地区少数载流子扩散的光线，所以只能关闭到PN结数μm或更少。

理论和实践证明，峰值波长的光λ-和发光区域的半导体带隙Eg有关，即λ≈1240年/Eg(mm)类型Eg单位电子伏特(eV)。如果他们能产生可见光(波长度380nm紫罗兰红色~780nm)，如应之间3.26~1.63 eV的半导体材料。长波长红外灯的红光。现在对红外光谱、红色、黄色、绿色和蓝色发光二极管，但蓝光二极管成本、价格很高，不是一般使用。

（B）LED的特点

1。极限参数的含义

(1)允许功率Pm︰允许在两端LED是直流电压和最大值及其当前产品。超过此值，LED热损伤。

（2）最大直流转发当前IFm︰允许向电流最大值。超过此值可损坏二极管。

（3）最大反向电压VRm︰允许的最大反向电压。超过此值，发光二极管可以穿透损伤。

（4）工作环境topm︰发光二极管工作环境温度范围。低于或高于此范围，发光二极管将不工作，效率大大降低。

2。参数的含义

（1）分布和光谱的峰值波长︰一个发光二极管不是单一的波长，波长的光，如图2所示。可见，根据某些波长λ0最高，led的灯和峰值波长的波长。

（2）发光强度IV︰发光二极管的发光强度通常是正常（圆柱管是指其轴线）方向的发光强度。如果(1/683)W/sr，发光1坎德拉（符号为CD）在该方向的辐射强度。由于小一般LED led强度、发光强度坎德拉(MCD)单位。

（3）光谱半宽度δλ︰代表领导的频谱纯度。请参阅图3 1/2在两个波长间隔对应的峰值强度。

(4)半值角θ和1/2角︰θ1/2是指发光强度值为轴向强度半方向和光轴角（正常）。半值角倍的角度来看（或半功率）。